La memoria MRAM (memoria RAM magnetorresistiva) difiere de la memoria RAM (random access memory, o memoria de acceso aleatorio), en un rasgo fundamental. La RAM conserva los datos solo cuando está siendo alimentada con electricidad. En cambio, la MRAM no es volátil, es decir que tiene la capacidad de conservar los datos aunque no esté siendo alimentada con electricidad, algo que equipara la MRAM a las unidades de disco duro y de memoria flash.

Además, la MRAM es más rápida, más eficiente y robusta que otros tipos de almacenamiento de datos. Sin embargo, cambiar los bits aún precisa de demasiada energía eléctrica para hacer práctica su aplicación a gran escala.

El equipo de Henk Swagten y Arno van den Brink, de la Universidad Tecnológica de Eindhoven, en los Países Bajos, ha descubierto una forma ingeniosa de resolver este problema.

La MRAM almacena datos usando de manera inteligente el “espín” de los electrones, una especie de brújula interna de las partículas. Dado que se emplea el magnetismo en vez de una carga eléctrica, la memoria es permanente incluso cuando se corta el suministro eléctrico, y de esta forma el ordenador ya no tiene que ser puesto de nuevo en marcha desde cero; simplemente reanuda su actividad justo allá donde la suspendió.

En una MRAM, los bits son proyectados por la dirección del espín de los electrones en un trozo de material magnético: por ejemplo, hacia arriba para un “1” y hacia abajo para un “0”. El almacenamiento de los datos se produce invirtiendo el espín de los electrones hacia el lado correcto. La práctica habitual consiste en enviar una corriente eléctrica que contiene electrones con la dirección de espín requerida a través del bit. La gran cantidad de corriente eléctrica necesaria para hacer esto ha venido dificultando el avance definitivo de la MRAM, que apareció en el mercado por vez primera en 2006.

Swagten y sus colegas han ideado un método revolucionario para voltear los bits magnéticos más rápido y con una eficiencia energética mucho mayor. A grandes rasgos, se envía un pulso de corriente bajo el bit, que inclina los electrones con el espín correcto hacia arriba, es decir, a través del bit. Es un poco como una pelota de fútbol que efectúa una curva cuando se le aplica el efecto adecuado.

La nueva memoria es realmente rápida pero necesita algo extra para hacer fiable el volteo. Los intentos anteriores para hacer esto precisaron un campo magnético, pero eso convirtió al método en caro e ineficiente. El equipo de Swagten ha resuelto este problema aplicando un material antiferromagnético especial sobre los bits.

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